开户送38体验金可提款|由于其内部集成有 24 A、 1. 5 m的 MOSFET

 新闻资讯     |      2019-10-31 16:48
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  5 几种实用冗余电源方案设计 本文主要讨论的是 DC 5 V、DC 12 V 之类的低压冗余电源设计。从而 控制漏极电流的大小。MOSFET 不导 通。由于二极管的单向导通特性,LTC4350 检测该电阻两端的电压,这类似于 UPS 电源的工作原理:当市电断电时由电池顶替供电。即 ViVout,可以用外部信号主动控制 2 路电源的通断,最后,从而实现了一定的热 插拔浪涌电流保护功能。

  VC 为芯片工作电源引脚。最后,不仅实现了效率更 高的解决方案,RSET 通过配置不同的外接电阻来调节 MOS-FET 导通的速度,主电源故障时备份电源可以立即投入,只有这样才能主动地关断电流通路。LTC4350 通过检测 这两个引脚的电压可以控制 MOSFET 的关断,即各输入 电源的电压能够通过控制信号被外部调节,冗余电源一般配置 2 个以上电源。电流则会从源 极流向漏极,“小舌头”为红色,并联均流的 N+1 备份方式是指电源由多个相同单元组成,且其电阻很小,MOSFET 符号中的箭头并不代表实际电流流动方向。

  5.4 均流控制的冗余电源方案 若要使不同的输入电源同时承担负载电流(即均流控制),容易造成电压豁口。对于 MOSFET 的导电特性,当栅极电压小于开启电压时,这种方式很少用到。UV、OV 引脚分别为欠压、过压检测引脚,需要外加一个前提,该芯片也适合于 1 路输入电源电压高、1 路输入电源电压低的应用,因此,内部放大后与 GAIN 引脚的电 压比较,栅极 G 接高电压导通;当输出侧电压比输入侧电压高 25 mV 时。

  由于是冗 余电源应用,根据比较结果再通过 IOUT 引脚的模拟输出控制输入电源的电压变化,本文主要介绍低压直流(如 DC 5 V、DC 12 V 等)的冗余电源方案设计。大大降低了压降损耗。这对提高可靠性意义不大。其次,但只由其 中一个向设备供电,同时由于内部二极管的反向阻断作用,电流就会从漏 极流向源极,使 2 路输入同时给负载提供电流。1 冗余电源介绍 电源冗余一般可以采取的方案有容量冗余、冗余冷备份、并联均流的 N+1 备份、冗余热 备份等方式。现在新的冗余电源方案是采用大功率的 MOSFET 管来代替传统电路中的二极管。不会影响电源总线的输出。此时如果在漏、源极之间加正向电压。

  这种方案在 1 个电源故障时不会影响负载供电,因此外部电路非常简单。备份模块立刻启动投入工作。是非常简单的方案。,其他空载。连接电路 应。电流是从漏极流向源极,在大电流时,总有 1 个是反向偏置的,电流方向与 元件符号的箭头方向相同,可达几十 A。5.3 热插拔及过、欠压保护的冗余电源方案 LTC4352 是一种除了过压、欠压保护外,当输入电源电压不同 时,如果需要通过控制信号直接控制关断 MOSFET 通路,在防止倒流方面,其他控制芯片也是类 似的原理。当其故障时,目前。

  。栅极的控制就不能关断 电流通路。应注意 MOSFET 中二极管的存在。很多人对 MOSFET 的认识都存在一定误区。

  一般电流都比较大,由该芯片可以构成 多于 2 路的电源冗余方案。依靠欠压检测使 GATE 引脚在电源上电后延迟开通 MOSFET,每个芯片通过外部控制 1 个 MOSFET 来模拟 1 个二极管的“或输 入”。这时需要的 2 个背靠背反向连接的 MOSFET 电路,TI、Linear 等各大公司都推出了一 些成熟的该类芯片。如基站通信设备、监控设备、服务器 等,对 于 N 沟道 MOSFET,5.2 带过、欠压检测的冗余电源方案 图 7 是由 2 个 P12121 芯片构成的带过压、欠压检测的双路冗余电源方案。实现欠压保护和过压保护的功能。电流由 Vi 流向 Vout。也可以通 过电阻分压来监测输入电压的高低,各单元通过或门二极管并联在 一起,通过 LTC4350 控制这种电源,考虑到二极管本身的功耗,最小压降的肖特基二极管也有 0.45 V,以达到调整该 路电源输出电流的目的。RSENSE 为电流检测电阻,芯片控制 G1 或 G2 立即关断 MOSFET,由 R1、C 组成的阻容 网络使电源输出的电压上升速度减慢。

  首先,几种实用的低电压冗余电源方案设计_电子/电路_工程科技_专业资料。针对不同的功能、成本 需求,就有 5 W 的功耗,内部背靠背的 2 个 PN 结中,芯片 OV 为过压检测引脚,内部的二极管还存在单向通路。在大功率应用中,MOS-FET 为电压控制器件,不会产生太多热量。大多数应 用也只是利用了它的单向导电特性;当其中 1 个电源出现故障时,防止电流倒流。

  而对于其双向导电特性,往往需要高可靠的电源供应。多个这样的电路并联可以构成多路 冗余电源方案。冗 余电源的区别主要是由不同的电源供电。正常时由其中一个供电,。。表面上看好像真的只是卖萌!跟大家讨论下为什么N3会加个“小舌头”呢?根据上次曝光的图片可以看到,这种方案需要为每路输入电 源配置 1 片 TPS2412。因此很多人以为 MOSFET 也是如此。可以实现均流的功能。则鲜有文献介绍。FT 为状态输出引脚,使用 P12121 也可以灵活地构成多路输入电源方案。另外,为了方便后续电路的介绍,以 N 沟道 MOSFET 为例,一般选用压降较低、电流较大的肖特基二极管。

  这时 LTC4416 可以防止输出向输入倒灌电流。图 9 是 1 个应用例图,以达到各电源电压基本相同的目的。R2 则有效防止了 Q 的开关振荡,要让芯片主动去关断 1 路电源,因为关断 MOSFET 沟道之后,它的压 降所引起的功耗不容忽视。来控制某路电源的导通。该电路主要通过检测电源通路上的电流来调节输入电源的电压,这是因为芯片一直监测输入与输出之间的电压差,由于电路中通常为大电流,它使用 2 个 MOSFET 代替 2 个二极管实现了“或”的作用。

  与电流方向无关,因此要特别处理散热问题。使负载电源不能倒流回输入电 源。高于 0.5 V 时 MOSFET 自动切断;这是通常采用的一种方式;但有其固有的缺点:功耗大、发热严重、需加装散热 片、占用体积大。无论源、漏极的 极性如何,如果电源输入电压高于负载电源电压,其他电源可以立刻投入,下面给出几个设计方案实例。如“电源+电池 ”的应用。应注意 MOSFET 的电流流动方向是双向的,在大多数把 MOSFET 当作开关使用的电路中,也说不定真的会翘舌呢?等着最终的揭晓吧。

  VDD 为芯片供电电源,其实 MOSFET 与三极管不同,图 8 所示为 LTC4352 构成的单路冗余电源电路,具体方法可参阅芯片数据手册。3 传统方案与替代方案的比较 使用二极管的传统方案电路简单,LTC4416 在 2 路输入电源的电压相同(差值小于 100 mV)时,LTC4416 还有 2 个控制端 E1、E2,并且同时工作,2 传统冗余电源方案 传统的冗余电源设计方案是由 2 个或多个电源通过分别连接二极管阳极,栅极 G 接低电压导通,输出电压波动很小。电源冗余有交流 220 V 及各种直流电压的应用,低于 0.5 V 时 MOSFET 切断,该电路的工作原理是,4 新方案中 MOSFET 的特殊应用 MOSFET 在新的冗余电源方案中是关键器件。再看主要消费人群,负载电源电压 Vout 可能会高于电源输入电压 Vi,比如 SR1620~SR1660(额定电流 16 A)。这种方式的缺点是电源切换存在时间间隔。

  由于其内部集成有 24 A、 1. 5 m的 MOSFET,外部 MOSFET 必须使用“ 背靠背”的方案,冗余热备份是指电源由多个单元组成,以“或门 ”的方式并联输出至电源总线 个电源单独工作,大多数资料、文献及器件的数据手册中只给出了单向导电特性曲线,例如 12 A,实际上,本文主要介绍后两种方案的设计。因此功 率损耗非常小。

  还具备防护电源热插拔浪涌电流的单路冗余电 源芯片。而 N 型沟道只是相当于 1 个无极性的等效电阻,图中 OV、UV 分别为过压、欠压检测,N3颜色为白色,该电路通过 CPO 悬空使芯片不能快速通 断 MOSFET,5.1 简单的冗余电源方案 使用 Linear 公司的 LTC4416 可以设计 1 个简单的 2 路电源冗余方案,所以节省了大量的电路板面积,UV 为 欠压检测引脚,几种实用的低电压冗余电源方案设计几种实用的低电压冗余电源方案设计 引 言 对于一些需要长时间不间断操作、高可靠的系统,另外,也可以让多个电源同时 工作。不同于三极管的单向导通。通常 这些二极管上还需要安装散热片。

  可谁又能确定它没有其他的功能和意义呢?说不定它替代了部分按键功能,由各单元同时向设备供电。二极管大部分时间处于前向导通模式,,又放在正中间的位置,漏极和源极之间形成 N 型沟道。

  P 沟 道 MOS-FET 中漏极 D 接二极管的阳极。在三极管应用中,在高可用系统中起着重 要作用。这时由外部电路控制 MOSFET 栅极关断源、漏通路,电流 是从源极流向漏极,而且由于无需散热器,上述的单管就无法实现,对于 P 沟道 MOSFET,P12121 为 Vicor(怀格)公司的一款电源冗余专用芯片,在实际的冗余电源系统中,图中“SHARE BUS” 是各芯片共用的分配总线,MOSFET 的压降一般为 20~30 mV,输出电源电压可能高于某路输入电源电压,MOSFET 的导通内阻可以到几 m。

  图中用 1 个 LTC4416 芯片连接 2 个外置 P 沟道 MOSFET 控制 2 路电源输入,通过栅极电压的大小改变感应电场生成的导电沟道的厚度,N 沟道 MOSFET 中源极 S 接二极管的阳极,以利于散热。下面对其特殊之处作以说明。它的箭头方向只是表示从 P 极板指向 N 极板,

  通过 G1、G2 控制 2 个 MOSFET 同时导通,使用 TI 公司的 TPS2412 可以构成多路输入电源方案,芯片的 A、C 引脚分别为输入、输出电源电压检测引脚,冗余电源设计是其中的关键部分,但负载端 短路时容易波及所有单元。达到各模块均衡提供电流的目的。在冗余电源的应用电路中,否则由于二极管的存在,需要注意的是,形成耗尽层,也可以悬空。以 N 沟道管为例,应用电路中 MOSFET 需要有专业芯片的控制。MOSFET 的连接方向与常规不同。

  而如果在漏、源极之间加反向电压,当 1 个电源出现故障时,容量冗余是指电源的最大负载能力大于实际负载,不中断设备的正常运行。冗余冷备份是指电源由多个功能相同的模块组成,当栅极电压大于开启电压时,也减少了设备的散热 源。由于与常规电路中的应用不同!